模拟集成电路设计 18微电子答案-中国大学慕课

第一部分 课程概论

第一部分第一次测验

1、题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
    A、2016年7月
    B、2017年7月
    C、2016年9月
    D、2017年9月

2、题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
    A、资本密集
    B、技术密集
    C、低风险
    D、高风险

3、题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
    A、12
    B、18
    C、24
    D、36

4、题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
    A、More Moore
    B、More than Moore
    C、Beyond CMOS
    D、SoC

5、题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
    A、LSI
    B、VLSI
    C、ULSI
    D、SoC

6、题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
    A、1947
    B、1948
    C、1957
    D、1958

7、题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
    A、1957
    B、1958
    C、1959
    D、1960

8、题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
    A、基尔比
    B、摩尔
    C、张忠谋
    D、胡正明

9、题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
    A、基尔比
    B、摩尔
    C、张忠谋
    D、胡正明

10、题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
    A、基尔比
    B、摩尔
    C、张忠谋
    D、胡正明

第二部分半导体器件物理基础

第二部分第一次测验

1、题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
    A、反型
    B、夹断
    C、导电
    D、耗尽

2、题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
    A、亚阈值区
    B、深三极管区
    C、饱和区
    D、三极管区

3、题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
    A、电子
    B、空穴
    C、正电荷
    D、负电荷

4、题2-1-7、在NMOS中，若 , 会使阈值电压（）。
    A、增大
    B、不变
    C、减小
    D、可大可小

5、题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
    A、
    B、
    C、
    D、

6、题2-1-2 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是 （）
    A、导通
    B、耗尽
    C、反型
    D、夹断

7、题2-1-5、载流子沟道在栅氧化层下形成 （），漏和源之间“导通”
    A、导电层
    B、反型层
    C、夹断层
    D、耗尽层

8、题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出的电流越理想。
    A、精确
    B、近似于W
    C、大
    D、小

9、题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻Ro是由MOS管的（）效应产生的。
    A、体
    B、衬底偏置
    C、亚阈值导通
    D、沟长调制

10、题2-1-6、下图中的MOS管工作于（）区（假定阈值电压为0.7V）
    A、三极管区
    B、截止区
    C、饱和区
    D、深三极管区

2.1 MOS管结构及IV特性作业题

1、描述CMOS的含义，画出CMOS器件的剖面结构示意图

2、以NMOS为例，写出NMOS器件随VGS 、VDS变化的三种不同工作状态的名称和对应的电压条件。

3、以PMOS为例，写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。

2.3 MOS管跨导的作业题

1、以NMOS为例，写出NMOS管跨导的定义式，并解释其含义。

2、以NMOS为例，写出在三种不同工作状态下的跨导的具体表达式。

3、以NMOS为例，写出在饱和状态下跨导的不同表达式，并且描述其意义。

第三部分 集成电路制造工艺及版图

第三部分第一次测验

1、题3-1-1 以下不是半导体材料的是： 。
    A、Si
    B、Ge
    C、GaAs
    D、C

2、题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
    A、超净
    B、高精度
    C、低精度
    D、超纯

3、题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是： 。
    A、A、特征尺寸
    B、器件数量
    C、互连线长度
    D、互连线层数

4、题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是： 。
    A、分辨率
    B、晶圆直径
    C、焦深
    D、对比度

5、题3-1-5 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和：
    A、投影式曝光
    B、X射线曝光
    C、电子束曝光
    D、离子束曝光

6、题3-1-6 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是 。
    A、特征尺寸越来越小
    B、晶圆尺寸越来越小
    C、电源电压越来越低
    D、时钟频率越来越高

7、题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
    A、A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
    B、B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
    C、C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
    D、D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

8、题3-1-8 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是： 。
    A、粘附性
    B、刻蚀温度
    C、刻蚀时间
    D、刻蚀槽的高度

9、题3-1-9 集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)； ；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。
    A、各向异性好
    B、选择性好
    C、各向同性好
    D、刻蚀速率快

10、题3-1-10 与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是： 。
    A、保真度好，图形分辨率高；
    B、高选择比
    C、速度快
    D、设备简单

第四部分 模拟集成电路设计基础

第四单元第一次测验

1、题4-1-1、随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压通常会（） 。
    A、不断提高
    B、不变
    C、可大可小
    D、不断降低

2、题4-1-2、在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
    A、MOS
    B、CMOS
    C、Bipolar
    D、BiCMOS

3、题4-1-3、最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
    A、MOS
    B、CMOS
    C、Bipolar
    D、BiCMOS

4、题4-1-4、电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
    A、增大器件宽长比
    B、增大负载电阻
    C、降低输入信号直流电平
    D、增大器件的沟道长度L

5、题4-1-5、下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
    A、电阻负载共源级放大器
    B、电流源负载共源级放大器
    C、二极管负载共源级放大器
    D、源极负反馈共源级放大器

6、题4-1-6、下面放大器的增益错误的是（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

7、题4-1-7、下图中的 为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

8、题4-1-8、不能确定输出直流电压的共源极放大器是（）的共源极放大器。
    A、电阻负载
    B、二极管连接负载
    C、电流源负载
    D、二极管和电流源并联负载

9、题4-1-9、下面放大器的小信号增益为（）。
    A、
    B、
    C、1
    D、理论上无穷大

10、题4-1-10、下面放大器的小信号增益为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、1

第四单元第二次测验

1、题4-2-1、源极跟随器通常不能用作（）。
    A、缓冲器
    B、放大器
    C、电平移动
    D、驱动器

2、题4-2-2、小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。
    A、共源级放大器
    B、源级跟随器
    C、共栅级放大器
    D、共源共栅级放大器

3、题4-2-3、电流源可以起一个电阻的作用，而且不消耗（）的电压余度。
    A、过高
    B、过低
    C、恒定
    D、变化

4、题4-2-4、下图电路中，源极跟随器的作用是（）。
    A、信号放大
    B、信号变换
    C、电平转移
    D、输出缓冲

5、题4-2-5、小信号输入电阻最小的放大器是（）。
    A、共源级放大器
    B、源级跟随器
    C、共栅级放大器
    D、共源共栅级放大器

6、题4-2-6、P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（ ）。
    A、
    B、
    C、
    D、

7、题4-2-7、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。
    A、低
    B、一般
    C、高
    D、很高

8、题4-2-8、下图放大电路的小信号增益为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

9、题4-2-9、图中元器件和电压均相同时，下面两个电路的增益关系是（）。
    A、两个相等
    B、左边的比右边的大
    C、左边的比右边的小
    D、无法比较

10、题4-2-10、（ ）放大器的电源抑制比最好。 A．电阻负载的共源极放大器 B. 电流源负载的共源极放大器 D. 共源共栅极负载的共源共栅极放大器 C．共栅极放大器 答案：C
    A、共源共栅极负载的共源共栅极放大器
    B、电阻负载的共源极放大器
    C、电流源负载的共源极放大器
    D、共栅极放大器

第四单元第三次测验

1、题4-3-1、差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。
    A、尾电流源输出阻抗为有限值
    B、输入MOS管不完全对称
    C、负载不完全对称
    D、输入对管工作在饱和区

2、题4-3-2、下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。
    A、为放大器管提供固定偏置
    B、为放大管提供电流通路
    C、减小放大器的共模增益
    D、提高放大器的增益

3、题4-3-3、有源电流镜负载差分放大器中，（）时其小信号增益最大。
    A、输入差分信号几乎相同
    B、输入差分信号相差较大
    C、共模增益为0
    D、忽略非理想因素

4、题4-3-4、下面电路的差模小信号增益为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

5、题4-3-5、基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
    A、尾电流源的小信号输出阻抗为有限值
    B、负载不匹配
    C、输入MOS不匹配
    D、电路制造中的误差

6、题4-3-6、模拟电路中，精度最高的电阻是（）。
    A、金属电阻
    B、比例电阻
    C、多晶硅电阻
    D、阱电阻

7、题4-3-7、图中电路不能正常工作的最重要原因是（）。
    A、MOS管可能截止
    B、输出端可能出现严重失真
    C、输入信号的共模电平影响电路性能
    D、电路不对称

8、题4-3-8、下列电路的输出直流电平不能确定的是（）。
    A、电阻负载共源极放大器
    B、电流源负载共源极放大器
    C、二极管负载共源极放大器
    D、电阻负载的源极跟随器

9、题4-3-9、理想电流源负载的差分放大器，当差分对和负载均有理想的匹配时，则共模抑制比为（）。
    A、无穷大
    B、0
    C、某一个确定值
    D、无法确定

10、题4-3-10、在差分放大器中，我们最关心的是（）的增益。
    A、共模输入到共模输出
    B、共模输入到差模输出
    C、差模输入到共模输出
    D、差模输入到差模输出

第四单元第四次测验

1、题4-4-1、下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

2、题4-4-2、下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

3、题4-4-3、下列结构中不可以采用密勒效应进行分析的电路是（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

4、题4-4-4、下图电路中与X结点相关联的极点频率为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

5、题4-4-5、下列结构中密勒效应最显著的是（）。
    A、共源级放大器
    B、源级跟随器
    C、共栅级放大器
    D、共源共栅级放大器

6、题4-4-6、密勒效应是（）。
    A、有害的
    B、有利的
    C、可以被我们利用来解决电路设计中的问题
    D、实际不起作用

7、题4-4-7、伯特图的频率坐标采用（）刻度。
    A、10进制
    B、线性
    C、对数
    D、指数

8、题4-4-8、假定A1为理想运放，下图的传递函数是（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

9、题4-4-9、电阻负载的共源极放大器的主极点在（ ）。
    A、输入节点
    B、输出节点
    C、既可能是输入节点，也可能是输出节点
    D、取决于电路的具体情况
    E、MOS上

10、题4-4-10、为达到较好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。
    A、30
    B、60
    C、90
    D、180

第四单元第五次测验

1、题4-5-1、 镜像电流源一般要求相同的（ ）。
    A、制造工艺
    B、器件宽长比
    C、器件宽度W
    D、器件长度L

2、题4-5-2、 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使 和 严格相等， 应取为（）。
    A、
    B、
    C、
    D、

3、题4-5-3、 下图电流镜的输出电压最小值为（ ）。
    A、
    B、
    C、
    D、

4、题4-5-4、 共源共栅电流镜是为了（ ）。
    A、利用衬偏效应
    B、消耗较低的电压余度
    C、抑制沟长调制效应
    D、降低电路漏电流

5、题4-5-5、 下图电流镜的输出电压最小值为（ ）。
    A、
    B、
    C、
    D、

6、题4-5-6、 下图中电路的小信号增益是（ ）。
    A、
    B、
    C、
    D、

7、题4-5-7、 共源共栅电流源具有高的（ ）。
    A、输出小信号电阻
    B、输出电压余度
    C、小信号增益
    D、信噪比

8、题4-5-8、 下图电路中，存在（ ）组电流镜。
    A、1
    B、2
    C、3
    D、4

9、题4-5-9、 下图电路中，M3管的电路组态是（ ）。
    A、共源管
    B、共栅管
    C、共漏管
    D、共源共漏管

10、题4-5-10、 下图是改进型Wilson MOS电流镜，满足 的条件是（ ）。
    A、
    B、
    C、
    D、

第四章第一次作业

1、认真学习课件，阅读电子教材之后，完成以下三个题目。

第四章第二次作业

1、4个题，各25分。

模拟CMOS集成电路设计期末考试—202006

模拟CMOS集成电路设计期末考试卷A卷

1、整个试卷为pdf文档，请自行下载，打开浏览作答。